低功率IGBT
Infineon SGP02N120XKSA1 IGBT
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品牌 英飞凌_Infineon
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Infineon SGP02N120XKSA1 IGBT
产品详细信息

Infineon 分离式 IGBT 晶体管

Infineon 分离式 IGBT 晶体管提供各种技术,如 NPT、Trenchstop™ 和 Fieldstop。它们可用于需要硬切换或软切换的许多应用,包括工业驱动器、UPS、变频器、家用电器和感应炉灶。一些器件包括反并联二极管或单片集成二极管。

IGBT 分立件和模块,Infineon

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


属性 数值
最大连续集电极电流 2 A
最大集电极-发射极电压 1200 V
最大栅极发射极电压 ±20V
最大功率耗散 62 W
封装类型 TO-220
安装类型 通孔
通道类型 N
引脚数目 3
开关速度 1MHz
晶体管配置
尺寸 8.5 x 4.4 x 9.25mm
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