产品详细信息
P 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc
MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 6.6 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 190 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 9.25 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 17.7 nC @ 10 V |
| 宽度 | 6.22mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 6.73mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |