产品详细信息
N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 2.7 A |
| 最大漏源电压 | 620 V |
| 封装类型 | TO-252 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 2.5 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 45 W |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 6.6mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 6.2mm |