产品详细信息
双 N 通道 MOSFET,Diodes Inc.
MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 540 mA |
最大漏源电压 | 20 V |
封装类型 | SOT-563 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 6 |
最大漏源电阻值 | 900 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大功率耗散 | 250 mW |
最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
长度 | 1.7mm |
每片芯片元件数目 | 2 |
最高工作温度 | +150 °C |
宽度 | 1.25mm |