产品详细信息
射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 20 A |
| 最大漏源电压 | 125 V |
| 封装类型 | M174 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 4 |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大功率耗散 | 389 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 宽度 | 24.89mm |
| 长度 | 26.67mm |
| 最高工作温度 | +200 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |